又是一件科技圈大事，大家怎么看？就在美国当地时间8月4日，三星电子在圣克拉拉举办的2026年未来存储与内存大会（FMS）上，甩出了一份面向AI基础设施的存储技术“大蓝图”——不光首次亮出了zHBM、zNAND-O这两个概念产品，还正式端出了用晶圆键合技术搞定的400层以上V10 BV-NAND。
简单来说，这个zHBM的思路挺有趣：把HBM直接垂直堆到AI加速器脑袋上，相当于给处理器和内存之间开了条“闪电直通车”，大幅缩短数据跑腿的距离，从而提升AI训练和推理的速度。三星表示，配合下一代接口系统，zHBM的性能预计能达到HBM5的8倍左右，同时靠新型晶圆键合技术，内存密度能飙到HBM5的10倍，还能顺便省点电。
NAND这边，三星首次亮出了V10 BV-NAND架构——也是用晶圆键合技术把存储单元摞起来，层数直接冲上了400+，比上一代V9产品的内存密度提升了大约58%，读写和输入输出性能也都有了明显改善。
除此之外，三星还把HBM4E、HBM5、LPDDR5X-PIM以及企业级存储PM1763等一系列AI存储产品路线图全摆上了桌面。（广角观察）#大厂科技动态#