科技圈又传来新动静。前几天，半导体巨头在世界顶级的IEEE半导体大会上“秀”了一篇论文，其中提到了一种有意思的芯片组合玩法。
他们不再只堆叠HBM，而是把8颗最新的HBM3E和另外8颗HBF模块一起，放在英伟达Blackwell架构旁边做了实验。结果有点惊人——和只用HBM时相比，这样搭配居然能让每瓦性能提升最高达到2.69倍。
简单来说，这就像给高性能计算引擎同时配上“高速内存”和“快速缓存通道”，不仅算得快，还更省电了。虽然还没到量产上市那一步，但已经让人开始想象：下一代AI芯片的能效，会不会因此跨出一大步？
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