芯片散热领域最近迎来一项关键技术突破。长久以来，芯片内部各材料层之间粗糙的“岛状”连接结构，一直像一个个微型隔热坝，阻碍热量高效导出，制约了器件性能的进一步提升。西安电子科技大学郝跃院士与张进成教授团队的一项创新研究，成功将这种粗糙界面转变为原子级的“镜面”薄膜，从而极大地提升了芯片的散热效率和整体性能。
研究团队开创性地采用了“离子注入诱导成核”技术，如同为材料生长铺设了精准的轨道，将原本随机、不均的生长过程变得高度可控且均匀。实验结果表明，新结构界面的热阻仅为传统结构的三分之一。
基于这项技术制备的氮化镓微波功率器件表现惊艳：在X波段和Ka波段，其输出功率密度分别达到42瓦/毫米和20瓦/毫米，将国际同类纪录提升了30%至40%。该突破意味着，在芯片面积不变的情况下，未来雷达等装备的探测距离有望显著增加，通信基站的覆盖范围也将更广、更节能。相关成果已发表于《自然·通讯》与《科学进展》期刊。#大厂科技动态#