AiSiri网4月30日消息，英特尔在夏威夷檀香山举办的VLSI 2026研讨会上，通过论文T1.2正式公布Intel 18A-P制程节点的关键技术数据。相比标准Intel 18A节点，18A-P在相同功耗下实现超过9%的性能增益，在相同性能下功耗降低超过18%。
这类性能与功耗改进通常只在跨代节点过渡时才能见到，而现在18A-P在相同密度下即可实现。换句话说，英特尔没有像过去那样靠堆晶体管密度来换取进步，而是在同一代工艺上做了一次“中场加速”。
英特尔论文原文列出了四项具体改进：额外的逻辑VT对、更严格的时钟偏移角控制、高密度（HD）和高性能（HP）库中新增的低功耗器件，以及两类库中性能提升版HP器件。这些术语听起来像硬件工程师的专属黑话，但翻译过来就是：芯片能跑得更稳、更省电、更不容易“偏科”。
英特尔将18A-P的偏移角（skew corners）较标准18A收窄约30%，同一晶圆上晶体管之间的性能差异显著缩小，功耗和性能特性更加可预测，参数良率与芯片一致性同步提高。这个数字背后藏着芯片制造的“玄学”——晶圆上的每一颗芯片本来都有点自己的小脾气，18A-P把它们的脾气控制得更一致了，对大规模出货的客户来说，这比单纯堆性能更值钱。
散热层面，18A-P的热阻较18A降低约50%，导热效率大幅提升。这对于高性能计算场景中的持续高频运行尤为关键，也直接响应了背面供电技术（PowerVia）带来的散热挑战。数据中心的运维人员可能会松一口气，毕竟散热成本一直是电费账单上的大头。
英特尔已向潜在客户交付18A-P的1.0版PDK工艺设计套件，以支持其开始测试芯片验证。该工艺仍基于RibbonFET全环绕栅极晶体管架构与PowerVia背面供电技术打造，属于18A平台的性能增强版本。英特尔没有选择在18A之后急推新节点，而是先打磨出18A-P这个“Pro版”，显然是想在代工客户面前多攒点信任分。
据TrendForce消息，苹果正在评估采用18A-P制程生产M系列芯片，谷歌则在考量借助英特尔EMIB先进封装技术推进TPU v8e项目，相关产品最早或于2027年落地。如果这两家真能落地，那就意味着英特尔在代工领域的“翻身仗”有了第一排观众——而且是最挑剔的那一批。
