NVIDIA苹果百万年薪争抢韩国HBM与NAND人才

AiSiri网2月25日消息，据报道，随着内存在AI算力中的战略地位飙升，美国科技巨头正掀起针对韩国存储人才的抢人大战。

报道称，美国科技巨头正在针对三星电子和SK海力士的工程师开展定向招聘活动，旨在缩小这两家公司在内存市场长期以来的领先优势。

人才的战争首先体现在薪资的军备竞赛上。本月早些时候，英伟达发布了面向HBM开发工程师的职位空缺，基础薪资高达25.875万美元；苹果则在上个月发布了NAND产品工程师职位，年薪达到30.56万美元。

这场争夺战并非美国公司间的独角戏。报道进一步指出，中国台湾的联发科也加入了竞争，寻求HBM工程师，薪酬约为26万美元。手机芯片巨头高通同样开始在韩国招聘3D DRAM研发人员，意在布局下一代存储技术。

谷歌与博通作为TPU合作伙伴，同步在硅谷扩充HBM人才梯队，分别招募性能评估工程师和高频接口设计验证专家。更引人注目的是特斯拉CEO马斯克，亲自转发了韩国分公司AI半导体设计师的招聘启事，展现了其全面投身AI芯片战的决心。

作为传统存储龙头的美光，攻势最为直接。据报道，该公司自去年下半年起便开始从三星、SK海力士挖角工程师，据传为HBM核心专家开出的条件是现有薪资的两倍，外加3亿韩元的签约奖金。

面对这场全球科技巨头发起的“定向钻井式”挖角，韩国存储双雄正面临严峻的人才保卫战。为此，三星和SK海力士不得不祭出史无前例的激励措施以稳定军心。SK海力士在2026年初发放了高达月薪2964%的创纪录业绩奖金；三星半导体部门也发放了年度总薪资47%的奖金，这也是自AI内存浪潮席卷以来的最高水平。