长江存储首席科学家:我国三维闪存芯片技术实现跨越式发展

AiSiri网7月6日消息,一位来自科技前沿阵地的声音,在2025年北大研究生毕业典礼上格外振奋人心。长江存储首席科学家霍宗亮,作为校友代表的发言,为即将踏入社会的学子们送上了宝贵的“实战箴言”。

霍宗亮在发言中,深刻地将北大的使命感与“家国天下”的精神内核相连接。他勉励毕业生们,在未来的科研探索和产业报国之路上,要勇于“坐冷板凳”,不被短期的回报所诱惑,而是专注于自主研发的长期价值。这是一种对初心和愿景的坚守,也是在科技竞争日益激烈的当下,一项极其重要的品质。

长江存储首席科学家:我国三维闪存芯片技术实现从落后到赶超

这番话并非空穴来风。霍宗亮以长江存储的十年发展为例,讲述了一个团队如何通过“卧薪尝胆”,在我国三维闪存芯片技术领域,实现了从无到有、从追赶到超越的跨越。这意味着,在中国科技自主创新的征程上,不仅需要远大的理想,更需要脚踏实地的努力和面对艰难险阻的决心。

他坦言,任何领域的突破性成就,都离不开经历艰辛的准备。这无疑是对所有毕业生的一记“预警”,但也充满了鼓励的意味——挑战与机遇并存,只有做好吃苦的准备,才能最终品尝到成功的甘甜。

长江存储科技有限责任公司,这家成立于2016年7月、总部位于武汉的IDM企业,正是这场技术革新的重要参与者和推动者。从2017年10月中国首款3D NAND闪存的诞生,到2019年9月搭载Xtacking架构的第二代TLC 3D NAND量产,再到2020年4月第三代TLC/QLC产品的研发成功,长江存储用一系列扎实的产品和技术节点,证明了中国在高端存储芯片领域的实力。

特别是其第三代QLC闪存产品,在发布时展现出的业界领先的I/O速度、存储密度以及单颗容量,足以让行业为之侧目。这不仅是中国存储技术进步的缩影,也为国内相关产业链的发展注入了强大动力。

霍宗亮的发言,不仅是对母校的致敬,更是对所有中国科技工作者和未来科技人才的激励。在星辰大海的征途上,少不了那些不畏艰辛、默默耕耘的身影。

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