苹果20周年iPhone或成AI怪兽

20周年纪念版 iPhone 预计将在设备端处理能力方面实现重大飞跃，内存的改变可能会大幅提高 AI 响应速度。

在人工智能 (AI) 市场日趋火热的今天，保持 iPhone 产品线的竞争力至关重要。尽管苹果在 AI 领域已经深耕多年，包括使用其自主研发的 AI 芯片，但它可能会采取其他重大举措来提升性能。

据ETNews报道，苹果正在认真考虑在 2027 年的 iPhone 产品线中加入移动高带宽内存 (HBM)。这将包括 20 周年纪念版 iPhone，预计该版本还将包括其他显示屏和电池方面的改进。

使用 HBM 对苹果来说将是一个巨大的改变，因为它是一项需要堆叠 DRAM 层的技术。堆叠提高了信号传输速度，从而提高了带宽，使得处理器可以更快、更容易地访问和保护存储中的数据。客观来说，这会显著提升设备的AI计算能力，尤其是在边缘计算方面。

HBM 通常连接到应用处理器，但也可能连接到 GPU，后者可用于 AI 处理。这实际上与 Apple Silicon Mac 型号中的统一内存所做的事情类似。

消息人士坚称，苹果将在 2027 年的 iPhone 中使用 HBM，因为它正在“审查其应用处理器的设计变更”，以使其对 AI 处理更有用。该消息人士补充说，将内存连接到 GPU 也是“可能的”。

极有可能

该报告认为，苹果可能已经与内存供应商（如三星和 SK Hynix）讨论了该计划。两家公司都在使用自己的封装技术创建自己的移动 HBM 模块，预计将在 2026 年之后投入量产。

据报道，SK Hynix 正在以 Vertical wire Fan Out (VFO) 的名义进行这项工作，而三星电子正在以 Vertical Cu-post Stack (VCS) 的名义进行。

就苹果而言，12 月份有报道称，苹果正在与三星合作开发用于 iPhone 的更快内存。目的是创建一个更大的 DRAM 封装来增加连接器的数量，从而增加内存带宽。

三星和 SK Hynix 可能会全力以赴地争取苹果的移动 HBM 模块定制订单。预计竞争将非常激烈，因为每家公司都能够将其现有的 HBM 工作从服务器市场扩展到智能手机。

更多周年纪念设备技术

内存和改进的 Apple Intelligence 处理能力不会是 20 周年纪念版 iPhone 中唯一值得期待的东西。这款具有里程碑意义的设备预计还将进行其他更明显的变化。

这包括对显示屏的更改，例如将 OLED 显示屏驱动芯片 (DDI) 切换到 16 纳米 FinFET 工艺，以使其显着更节能。技术的改变还可以通过弯曲显示屏的所有四个侧面来消除边框。

屏下摄像头的实现也将很棘手，因为屏幕需要在不降低相机图像质量的情况下传输光线。

目前实现该技术的理论包括使用透明聚酰亚胺作为 OLED 基板材料，以及使用特殊镜头来减少 OLED 像素的光学损失。

预计三星还将为 iPhone 18 显示屏使用一种新的 M16 材料组，并且可能会为 20 周年纪念版设备创建一种定制材料。

其他传言还包括使用 100% 硅材料（不含石墨）作为电池的阴极，这可以提高性能和电池寿命。

由于 AI 具有很高的处理要求，因此需要消耗大量电力，因此任何节省或电池改进都将不可避免地有助于使该型号的 AI 更加出色。这对于提升用户体验和延长设备使用时间，尤其是在重度AI应用场景下，具有重要意义。